A Intel parece ter assegurado pelo menos um cliente de peso para seu nó de litografia 18A/18AP: a Microsoft. De acordo com informações compartilhadas por Charlie Demerjian, do site SemiAccurate, a Microsoft estaria utilizando as instalações de fabricação da Intel para desenvolver seu acelerador de IA, Maia 3 "Griffin". Além disso, um usuário do Twitter/X, identificado como @jumkanlosreve, vazou detalhes exclusivos, disponíveis apenas para assinantes.
Se essa parceria for bem-sucedida, é provável que a Microsoft continue colaborando com a Intel em futuras iterações de seus produtos Maia. Esta notícia representa um impulso significativo para a divisão de fundição da Intel, que depende de clientes de alto volume para prosperar. Segundo a SemiAccurate, a Intel pode já ter outros clientes relevantes em sua carteira, mas, até o momento, apenas a parceria com a Microsoft foi confirmada.
"Se este projeto correr bem, esperamos que as próximas gerações do chip Maia também sejam fabricadas (fabbed) na Intel. A última frase não é uma avaliação do processo 18A ou 18AP da Intel, mas sim uma declaração geral sobre o projeto como um todo. De um processo ... https://t.co/78tSKIVD9T
- Jukan (@Jukanlosreve) October 17, 2025
Esta conquista no setor de fundição marca um avanço significativo para a Intel. Durante anos, a TSMC foi amplamente reconhecida como a principal escolha global para a fabricação de silício. No entanto, se a Intel entregar resultados sólidos com a Microsoft e conquistar mais clientes, poderá se posicionar como uma concorrente de peso frente à TSMC.
Para que o nó 18A seja um sucesso e a Intel Foundry se consolide como um player relevante na indústria de chips, parcerias estratégicas com empresas como a Microsoft são cruciais. Entre outros grandes nomes que colaboram com as tecnologias de chips de próxima geração da Intel estão NVIDIA, Broadcom e ARM. No entanto, quanto aos detalhes do acelerador Maia 3 da Microsoft, ainda há pouca informação disponível. Relatórios sugerem que a empresa pode optar pelo processo 18A-P mais avançado, que incorpora as tecnologias inovadoras RibbonFET e PowerVia, projetadas para melhorar tanto o desempenho quanto a eficiência energética.
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